一种氮化铝与氧化铝复配导热绝缘硅胶材料及其制备方法发明专利
申请号：cn202010877577.6
loc分类号:c08l83/07
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发明专利无效专利
- 申请号：cn00818639.1
- ipc分类号：--
- 申请日期：2000-12-13
- 申请人：先进微装置公司
著录项信息
| 专利名称 | |||
| 申请号 | cn00818639.1 | 申请日期 | 2000-12-13 |
| 法律状态 | 权利终止 | 申报国家 | 中国 |
| 公开/公告日 | 2003-06-18 | 公开/公告号 | cn1425193 |
| 优先权 | 暂无 | 优先权号 | 暂无 |
| 主分类号 | 暂无 | ipc分类号 | 查看分类表> |
| 申请人 | 申请人地址 |
变更
专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效 | |
| 权利人 | 赛普拉斯半导体公司 | 当前权利人 | |
| 发明人 | 杜汪·杜克·泛;马克·t·瑞斯贝;尤·山;张清 | ||
| 代理机构 | 代理人 | 戈泊;程伟 | |
摘要
本发明提供一种改进式闪存装置，在外围区域具有浅沟渠隔离和在核心区域提供locos隔离。首先利用金属遮光膜产生浅沟渠隔离。然后产生locos隔离。之后利用蚀刻移除纵桁。闪存能够使用浅沟渠隔离限制侵蚀。闪存亦具有氮化隧道氧化层。利用金属遮光膜避免栅极氧化层的氮污染。
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